क्या एक EEPROM है?
EEPROM Electrically निर्देशयोग्य Erasable पढ़ें के लिए खड़ा है, केवल मेमोरी. एक EEPROM एक EPROM चिप के बाद से इसमें लिखा जा सकता है या एक बार से अधिक क्रमादेशित की तरह है. इस EPROM चिप के विपरीत, तथापि, एक EEPROM चिप की जरूरत कंप्यूटर या जिनमें से यह हिस्सा है जब एक नया प्रोग्राम या डेटा उस पर लिखा करने की आवश्यकता है इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस से बाहर ले जाया नहीं किया.
चयनात्मक प्रोग्रामिंग एक EEPROM चिप करने के लिए किया जा सकता है. प्रयोक्ता अन्य कोशिकाओं पर प्रोग्रामिंग मिटा करने की आवश्यकता होगी, बिना कुछ कोशिकाओं का मूल्य बदल कर सकते हैं. इस प्रकार, डेटा के वर्गों मिटाया जा सकता है और चिप की प्रोग्रामिंग के बाकी को बदलने के लिए की जरूरत के बिना बदल दिया.
डेटा एक EEPROM चिप में संग्रहीत, तो उपयोगकर्ता कम से कम जब तक स्थायी है मिटा करने का फैसला है और इसे समाहित जानकारी बदलें. इसके अलावा, डेटा एक EEPROM चिप में संग्रहीत भी जब बिजली बंद कर दिया है खोया नहीं है.
इस EEPROM का इतिहास
इस EEPROM के EPROM के एक संशोधन है और जॉर्ज Perlegos द्वारा डिजाइन किया गया था. जबकि Perlegos अभी भी इंटेल द्वारा नियोजित था इसका विकास 1978 में शुरू हुआ. कंप्यूटर या जिनमें से यह हिस्सा यदि कोई reprogramming आवश्यक था इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस से बाहर ले जाया करने के लिए हालांकि इस archetypal EEPROM अभी भी था.
जब Perlegos प्रौद्योगिकी Seeq बनाने के लिए इंटेल छोड़ दिया, वह पहले पूरी तरह कार्यात्मक EEPROM डिजाइन किए हैं. बाह्य प्रोग्रामिंग, Perlegos और कंपनी की आवश्यकता को समाप्त करने के लिए इस इन्सुलेट परत पतली और एकीकृत किया स्मृति चिप ही में एक थरथरानवाला और संधारित्र सर्किट. यह आरोप पंप आवश्यक प्रोग्रामिंग वोल्टेज का उत्पादन कर सकता है. चूंकि यह पूरी तरह से हर EEPROM चिप में एकीकृत है, कोई ज़रूरत नहीं erasing और प्रोग्रामिंग के लिए EEPROM चिप बाहर ले जाना है. कॉन्फ़िगर एक EEPROM चिप, एक बिजली के क्षेत्र के प्रभारी पंप द्वारा निर्मित करने के लिए स्थानीय कोशिकाओं संशोधन के लिए चिह्नित करने के लिए आवेदन किया है.
EEPROM ढाँचा
इस EEPROM चिप शारीरिक रूप से इस EPROM चिप के समान है. यह भी कोशिकाओं के दो ट्रांजिस्टर के साथ हैं. इस जहाज़ का फाटक के नियंत्रण के गेट से एक पतली परत ऑक्साइड से अलग है. इस EPROM चिप के विपरीत, तथापि, इस EEPROM चिप है ऑक्साइड परत बहुत पतली है. EEPROM चिप्स में, इन्सुलेट परत EPROM चिप्स में जबकि केवल आसपास 1 nanometre मोटी है, ऑक्साइड परत लगभग 3 nanometres मोटी है. इस पतली परत ऑक्साइड सेल मूल्य में परिवर्तन की शुरुआत करने के लिए कम वोल्टेज की आवश्यकताओं का मतलब है.
ऑक्साइड का स्तर है, अस्थायी फाटक को अलग करने और नियंत्रण के फाटक की ओर चल फाटक के इलेक्ट्रॉनों Tunneling अभी भी 1 0 से एक बिट के मूल्य को बदलने की विधि है. पर्याप्त प्रोग्रामिंग वोल्टेज के आवेदन से पार होना EEPROM प्रोग्रामिंग मिटा करने के लिए, इलेक्ट्रॉन बाधा अब भी है.
EEPROM सीमाओं
जबकि EEPROM reprogrammed किया जा सकता है, तो इसे बदला जा सकता है समय की संख्या सीमित है. यह मुख्य कारण है EEPROM चिप्स जो लगातार reprogramming की आवश्यकता नहीं होती कंप्यूटर के BIOS कोड जैसे ही कॉन्फ़िगरेशन डेटा भंडारण के लिये लोकप्रिय हो रहा है. इस ऑक्साइड इन्सुलेट परत को फिर से लिखना लगातार द्वारा क्षतिग्रस्त किया जा सकता है. आधुनिक EEPROMs एक लाख गुना करने के लिए पुनः किया जा सकता है.
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